据快科技，长鑫科技最近公布了一系列新技术进展，先是首发LPDDR6内存，之后推出了G5代内存平台，接着又宣布年底就会率先量产4F2架构的内存芯片，对韩国的三星、SK海力士等内存企业造成了冲击。

其中4F2是三星和SK海力士研究了十几年的内存技术，但因为种种问题一直没有量产，如今要被长鑫抢先，而这意味着韩国企业在内存市场上的领先局面要被打破，因此直接冲击了他们的股价。

而中国公司在内存芯片领域的突破带来的威胁不止于此，一旦产能爆发会导致内存市场从供不应求变成供过于求，产能过剩将会直接导致现在的内存利润崩盘。

虽然目前长鑫的内存市场份额大约是10%，相比三星、SK海力士及美光三巨头90%的份额还是很少，但长鑫的扩产速度极快，今年的产能会提升到35万片晶圆/月，接近美光的产能水平，预计只需要2年时间就能把当前30万片晶圆/月的产能翻倍提升到50-60万片。

不仅是晶圆产能翻倍，长鑫的良率也在提升，之前发布G5内存技术的时候就表现比当前的G4代的生产效率提升50%，同样的晶圆能多产出50%的芯片。

长鑫具体的良率谁也不知道，但这个50%提升意味着之前良率哪怕是40-50%，现在也能提升到60-70%以上，芯片成本会大幅降低。

韩国首尔国立大学黄哲成教授日前在采访中表示，韩国暴利的好日子在2028年应该都是安全的，但2029年就会面临冲击，他还提到三星等公司之前寻求过转型，搞CPU或者代工，但都不太行，韩国的未来无论如何还是在存储芯片上。

马斯克也出来发文进行补刀，他先是表示美国的美光在内存价格上还算合理，暗示三星SK海力士两家狮子大开口，日前更是多次指出中国公司的产能大增，“一旦中国弄清楚如何制造某种产品，其产能往往超过世界其他地区之和”，并以锂电池和太阳能板为例。

图源：快科技

在韩国股市暴跌之后，马斯克更是直接表示，“中国到2028年将生产大量内存（RAM）”。

而为了压制长鑫、长江存储等中国本土存储厂商的发展，海外的存储巨头也一直在持续出台各类的针对性限制举措。

据观察者网，路透社10月15日报道，在特朗普政府敦促外国芯片企业赴美建厂之际，韩国半导体巨头SK海力士据称向美方开出一个条件：希望美国批准向中国出口更多芯片制造设备，以扩大其在华工厂的生产能力。

两名知情人士透露，SK海力士正与美国政府磋商，希望通过旗下美国子公司Solidigm，获得向中国大连工厂出口更多美国芯片制造设备的许可，并将此与在美国新建NAND闪存工厂的计划挂钩。

特朗普政府一直敦促SK海力士、三星电子等外国芯片制造商扩大在美投资，以重振美国半导体制造业并创造就业岗位。

报道称，SK海力士大连工厂有一处名为“Mod B”的厂房区域，2023年建成，但由于当时存储芯片市场低迷，设备一直未能全部安装到位，如今市场需求大增，这片厂房仍有大量空间可供安装新设备。

新建成的这条生产线月均晶圆投片量约为5万片，叠加大连1号工厂现有的每月10万片产能之后，SK海力士在大连厂区的总生产规模将直接提升约50%。

Solidigm希望借此提高NAND闪存产量，这类芯片广泛应用于人工智能和云计算数据中心的固态硬盘，由于所需设备来自泛林集团、应用材料、科磊等美国企业，出口必须获得美方许可。

一名知情人士解释称，扩大中国工厂的生产规模，可以帮助Solidigm筹集赴美建厂所需资金，并在美国新工厂投产前维持供应。

对此，SK海力士回应称，Mod B区域的设备安装一直在与美国政府密切磋商并获得授权的情况下进行，公司并未寻求扩大该区域产能。

Solidigm拒绝置评，美国商务部也未回应置评请求。